Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ

Cấu trúc cơ bản, kí hiệu và những công năng của transistor đã làm được trình làng ở chương thơm 3.

Bạn đang xem: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ

Phânrất mang lại transistor vẫn trình diễn chi tiết sinh sống cmùi hương 4. Bây giờ đồng hồ sẽ điều tra thỏa mãn nhu cầu biểu hiện ac củamạch khuếch tán transistor so với tín hệiu nhỏ tuổi. trong số những vụ việc quan tâm vào quátrình phân tích những mạch transistor là biên độ của biểu hiện ngỏ vào cùng ngỏ ra. Thứ nhất bắt buộc phảixác minh biên độ biểu thị vào to xuất xắc nhỏ tuổi nhằm chuyên môn như thế nào được áp dụng....

Chương 5: Mạch khuếch tán biểu lộ bé dại CHƯƠNG 5: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎI. Giới thiệu: Cấu trúc cơ phiên bản, kí hiệu với những công năng của transistor đã được trình làng làm việc cmùi hương 3. Phânrất cho transistor sẽ trình diễn cụ thể làm việc chương 4. Bây tiếng đã điều tra khảo sát đáp ứng nhu cầu biểu thị ac củamạch khuếch đại transistor so với tín hệiu nhỏ tuổi. giữa những vụ việc quan tâm trong quátrình so với những mạch transistor là biên độ của dấu hiệu ngỏ vào và ngỏ ra. Trước hết đề nghị phảixác minh biên độ biểu lộ vào bự tuyệt bé dại để nghệ thuật như thế nào được vận dụng. Không có một ranhgiới như thế nào nhằm phân loại tuy thế trong số ứng dụng biên độ có thể chuyển đổi tương quan đến những đặctính của linh kiện. Trong chương thơm này đã trình bày phần so với biên độ tính hiệu vào nhỏ dại. Một quy mô thường được sử dụng vào so với ac tín h hiệu nhỏ của mạch transistor là:quy mô thông số kỹ thuật lai -h (hybrid).II. Mô hình của BJT: Chìa khóa để so sánh mô hình dấu hiệu bé dại là sử dụng mạch tương đương – có cách gọi khác là môhình. Một quy mô là một trong tổng hợp của các bộ phận được lựa chọn 1 cách phải chăng nhưng mà nó sát chínhxác với linh phụ kiện cung cấp dẫn thiệt vào một trong những ĐK quan trọng.1. Mạng 2 cửa: Một mạng 2 cửa ngõ con đường tính rất có thể mang lại quy mô tương tự là quy mô π , T tuyệt môhình h theo những ttê mê số vi phân y, z giỏi h. Ở đây ta chỉ điều tra quy mô h theo tđam mê số h. Xét mô hình mạng nhì cửa ngõ tuyến tính nhỏng hình 5.1. Hình 5.1: Mạng nhì cửa. Trong số đó ii, vi: thuộc dòng điện với điện áp ngỏ vào của mạng nhì cửa. iO, vO: thuộc dòng điện và điện áp ngỏ ra của mạng nhị cửa ngõ. Ta bao gồm phương thơm trỉnh theo tđê mê số vi phân h của mạng nhị cửa đường tính là: vi = h11ii + h12 vO (5.1) iO = h21ii + h22 vO (5.2) Từ pmùi hương trình 1.1 và 1.2 , ta có: v h11 = i vo =0 = hi là điện trngơi nghỉ ngỏ vào Khi ngỏ ra bị nđính thêm mạch (5.3) ii v h12 = i ii =0 = h f là thông số khuếch đại chiếc điện Lúc ngỏ ra bị nđính thêm mạch (5.4) vo i h21 = o vo =0 = ho là điện dẫn ngỏ ra Khi ngỏ vào bị hnghỉ ngơi mạch (5.5) ii i h22 = o ii =0 = hr là thông số truyền ngược về năng lượng điện áp (5.6) vo 85Chương 5: Mạch khuếch tán biểu thị bé dại Từ pmùi hương trình 5.1 với 5.2, ta vẽ được mô hình h theo tyêu thích số h nlỗi hình 5.2. Hình 5.2: Mô hình h theo thông số h của mạng nhì cửa ngõ tuyến tính.2. Mô hình tương đương của transistor: Khi BJT làm việc với bộc lộ nhỏ dại, Có nghĩa là trên đại lý năng lượng điện áp một chiều phân rất cho haichuyến qua JE và JC (xác định điểm làm việc tĩnh Q) khi có thêm biểu lộ luân chuyển chiều ngơi nghỉ ngỏ vàocó biên độ bé dại nhằm BJT khuếch đại để mang dấu hiệu chuyển phiên chiều này sinh hoạt ngỏ ra nhưng bao gồm biện độlớn hơn. Tại tâm trạng kia (trạng thái động dấu hiệu nhỏ), một phương pháp giao động hoàn toàn có thể coi BJT như1 phần tử tuyến tính. Như vậy trọn vẹn được cho phép, do ta đã thấy bên trên các con đường đặc tuyếnvôn-ampe của BJT làm việc chương thơm 3 có thể xem như là một mặt đường thằng con đường tính vào trong nhữngvùng bên cạnh của điểm thao tác của BJT năm trong vùng khuếch đại. Mặc mặc dù BJT bao gồm nhiệu bí quyết mắc không giống nhau (CE, CB, CC) tuy thế toàn bộ có thể xem như là một mạngnhị cửa, vậy có thể vắt BJT làm việc tinh thần cồn bộc lộ nhỏ dại bởi một mạng nhị cửa tuyến đường tính.Khi đó hoàn toàn có thể sử dụng quy mô tương đương của mạng nhị cửa ngõ mang đến mô hình tương tự của BJTvới những tmê mẩn số vi phân được trình bày bằng sự biến hóa thiên nhỏ tuổi của cái giỏi áp khi BJT hoạtđộng được Call là tsay mê số vi phân của BJT. Tuỳ theo kinh nghiệm kỹ thuật cơ mà chọn đại lương phụnằm trong cùng không phụ thuộc vào trải qua các tmê mệt số để biễu diễn kỹ năng hoạt động vui chơi của BJT. Lưu ý: những tsi số vi phân h đó là các tđắm say số luân phiên chiều chúng biểu thì đến độ dốc(hoặc nghịch hòn đảo độ dốc) của những đặc đường tĩnh tĩnh tương ứng, vày vậy bọn chúng đổi khác theođiểm thao tác làm việc khớp ứng. Mạch năng lượng điện hình 5.2 có thể vận dụng so với ngẫu nhiên linh kiện năng lượng điện tử 3 cực đường tính hoặccác khối hệ thống không có mối cung cấp hòa bình phía bên trong. Do kia so với transistor bao gồm 3 cấu hình cơ phiên bản thìmạch điện tương cũng đều có dạng nlỗi hình 5.2. Hình 5.3: Mạch mắc transistor.a. Mạch CE: Cấu hình mạch tương tự của transistor cực E phổ biến nlỗi hình 5.4, trong số ấy những thông sốđược cung cấp chữ e nhằm phân minh đó là thông số kỹ thuật mạh tương đương cực E bình thường. Chụ ý dòngvào ii = ib với dòng ra io = ic. Dòng ie = ib + ic , năng lượng điện áp vào là vbe với năng lượng điện áp ra là vce. Mạch CE trong hình 5.4a với mô hình tương tự của BJT mắc CE nlỗi hình 5.4b. 86Chương 5: Mạch khuếch tán bộc lộ bé dại Hình 5.4. a. Mạch CE; b. tế bào h?nh tương tự của mạch CE Phương trình của mạch CE: vbe = hie ib + hre vce (5.7) ic = h fe ib + hoe vce (5.8) Trong đó những tđê mê số vi phân của CE v hie = be vce =0 ib v hre = be ib =0 v ce i h fe = c vce =0 ib i hoe = c ib =0 v ceb. Mạch CB Cấu hình mạch tương đương của transistor cực B bình thường nlỗi hình 5.6, trong những số đó những thông sốđược cung cấp chữ b nhằm rành mạch đấy là thông số kỹ thuật mạh tương tự rất B tầm thường. Chú ý dòngvào ii = ie với loại ra io = ic. Điện áp vào là vi= Veb với điện áp ra là vo= vcb. Mạch CB trong hình 5.5a và quy mô tương tự của BJT mắc CE nhỏng hình 5.5b. Hình 5.5: a. Mạch CB; b. Mô hình tương tự của mạch CB Pmùi hương trình của mạch CE: v eb = hib ie + hrb v cb (5.9) ic = h fb ie + hob vcb (5.10) Trong số đó những tđê mê số vi phân của CB v hib = eb vcb =0 ie 87Chương thơm 5: Mạch khuếch tán bộc lộ nhỏ v eb hrb = ie = 0 v cb ic h fb = vcb = 0 ie i hob = c ie = 0 vcbc. Mạch CCMô hình mạch CC của BJT ít được áp dụng, phải sống đầy không xây cất quy mô mang lại mạch CCcủa BJT. Pmùi hương trình của mạch CC: vbc = hic ib + hrc v ec (5.11) ie = h fc ib + hoc v ec (5.12) Trong số đó các ttê mê số vi phân của CC v hic = bc vec =0 ib v hrc = bc ib =0 v ec i h fc = e vec =0 ib i hoc = c ib =0 v ec3. Xác định những quý hiếm thông số của BJT bởi đồ vật thị • hie. Xét mặt đường đặc tuyến ngỏ vào lúc thắt chặt và cố định VCE =VCEQ như hình 5.6 Hình 5.6 Từ hình 5.6 ta có: 88Chương 5: Mạch khuếch đại biểu thị nhỏ tuổi ∆vbe ∂vbe V hie = VCEQ = ≅β T (5.13) ∆ib ∂ib I EQ trên ánh sáng chống t = 25oC 26mV hie = β (5.14a) I EQ Đặt V 26mV re = T = I EQ I EQ Vậy hie = βre (5.14b) Crúc ý chữ e trong năng lượng điện trnghỉ ngơi re được chọn nhằm nhấn mạnh rằng chiếc điện dc trên cực E xác địnhgiá trị điện trsinh hoạt của mối nối JE. hre Xét mặt đường sệt tuyến ngỏ vào Lúc cố định và thắt chặt IB = IBQ nhỏng hịnh 5.7 Hịnh 5.7 Từ hình 5.7 ta có: ∆v ∂v hre = be I BQ = be ≅ 0 (5.15) ∆v ce ∂v ce hfe Xét đường đặc tuyến ngỏ ra, Khi cố định VCE =VCEQ nhỏng hình 5.8 89Chương thơm 5: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dại Hình 5.9. Từ hình 5.9 ta có: ∆i ∂i h fe = c VCEQ = c ≅ β (5.16) ∆ib ∂ib hoe Xét đường đặc tuyến đường ngỏ ra, Lúc thắt chặt và cố định IB =IBQ nhỏng hình 5.10 Hình 5.10 Từ hình 5.10 ta có: ∆i ∂i hoe = c VCEQ = c → 0 (5.17) ∆v ce ∂v ce Đối với thông số kỹ thuật rất E bình thường thì quý giá của thông số hr là 1 trong những đại lượng tương đối bé dại cóthể coi hr ≅ 0 bắt buộc hrV0 = 0, công dụng là ngắm mạch bộ phận này. Đại lượng 1/ho thông thường sẽ có giátrị không nhỏ nên rất có thể làm lơ giả dụ đối chiếu với cùng 1 năng lượng điện trnghỉ ngơi cài hiệu quả mô hình tương đương gầnđúng của transistor thông số kỹ thuật rất E phổ biến như hình 5.11 Hình 5.11: Mô hình tương tự giao động của BJT. 90Cmùi hương 5: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dại Bảng chuyển đổi thông số kỹ thuật giữa các dạng mạch CE cùng CB thuộc BJT: hie hib = ≅ re (5.18) 1 + h fe hie × hoe hrb = − hre ≅ 0 (5.19) 1 + h fe h fe h fb = − = −α ≅ −1 (5.20) 1 + h fe hoe hob = →0 (5.21) 1 + h fe Sơ thiết bị tương tự khoảng của BJT mắc CB trong hình 5.12 Hình 5.124. Các chỉ tiêu của bộ khuếch đại: Hình 5.13: Sơ thiết bị kăn năn của mạch khuếch đại. Từ sơ thiết bị kân hận của cục khuếch tán, ta có: Tổng trlàm việc vào Zi: Tổng trlàm việc vào Zi được khẳng định vì chưng định nguyên lý Ohm tất cả phương thơm trình: V Zi = i (5.22) Ii Tổng trngơi nghỉ ra Zo: Tổng trlàm việc ra thường được xác định trên các đầu ngỏ ra cơ mà hoàn toàn không giống với tổng trsống. Sự khác biệt kia là: tổng trsống ra được xác định trên các đầu ngỏ ra nhìn vào khối hệ thống khi khônggồm dấu hiệu làm việc ngỏ vào. Tổng trở ra xác định theo phương thơm trình: V ZO = O (5.23) IO Độ lợi điện áp: giữa những tính năng quan trọng tuyệt nhất của mạch khuếch tán là độ lợi năng lượng điện áp, chính là tỷsố điện áp ngỏ ra với ngỏ vào: V AV = O (5.24) VI Đối với hệ thống hình 5-13, độ lợi áp tòan mạch là: 91Chương thơm 5: Mạch khuếch tán tín hiệu bé dại Vo Zi AVs = = AV (5.25) Vs Z i + Rs Độ lợi chiếc điện: Độ lợi dòng năng lượng điện được xác minh vày phương trình: I Ai = O (5.26) II Đối với khối hệ thống như hình 5-13 mẫu điện ngỏ vào và mẫu năng lượng điện ngỏ ra được xác đình: V V I i = i cùng I O = − O Zi RL Lúc đó độ lợi cái điện: Vo Io RL VZ Z Ai = = − = − o i = − AV i (5.27) Ii Vi Vi RL RL Zi Độ lợi công suất: P V I AP = O = o O = Av Ai (5.28) PI Vi I i Mối quan hệ giới tính về pha: Mối dục tình cùng trộn của biểu hiện vào cùng biểu thị ra dạng sin cực kỳ đặc trưng. Đối với các mạchkhuếch tán transistor sinh sống dãi tần vừa đủ được cho phép bỏ qua mất ảnh hưởng của những phần tử dungphòng, dấu hiệu vào với tín hiệu ra có thể thuộc pha hoặc ngược pha nhau 180° phụ thuộc vào sệt tínhcủa mạch.5. Các ví dụ Các mô hình đang reviews hiện thời được thực hiện để thực hiện bài toán đối chiếu ac của một sốthông số kỹ thuật mạch chuẩn chỉnh dùng transistor.a. Mạch CE: Xét mạch điện nhỏng hình 5.14. Hình 5.14 Mạch năng lượng điện tương đương được so sánh như sau: mang sử dấu hiệu vào là ac đã được xác minh.Do chỉ xét cho dấu hiệu ac đề nghị toàn bộ các nguồn dc hoàn toàn có thể xem nlỗi nđính thêm mạch bởi vì chúng chỉ xácđịnh điện áp dc sống ngỏ ra nhưng mà ko xác minh biên độ xấp xỉ ngỏ ra. Mạch năng lượng điện tương đươngnhỏng hình 5-16. Các tụ liên lạc ac coi như nối tắt C 1 và C2 cùng tụ bypass C3 được lựa chọn làm thế nào để cho cótổng trsinh hoạt cực kỳ nhỏ tuổi tại tần số của biểu hiện cùng nối tắt năng lượng điện trsống RE. Sơ thiết bị mạch hình 5-14 được vẽ lại như hình 5-15. 92Cmùi hương 5: Mạch khuếch tán biểu hiện nhỏ Hình 5.15: Mạch điện lúc chỉ xét biểu đạt luân phiên chiều. Sơ đồ tương tự dấu hiệu nhỏ của mạch hình 5.15 nhỏng hình 5.16.

Xem thêm: Điều khoản

Hình 5.16: Mạch tương tự biểu lộ bé dại. Xác định những thông số: tổng trsống vào, tổng trở ra, hệ số khuếch đại năng lượng điện áp, thông số khuếch đạicái điện: Tổng trsinh sống vào: Zi = RB // hie (5.29) Nếu năng lượng điện trsống RB lớn hơn hie cấp 10 lần thì có thể xem: Zi = hie (5.30) Tổng trlàm việc ra: được khẳng định Khi tín hiệu vào Vi = 0, suy ra Ii = Ib = 0 nên hoàn toàn có thể coi là hsinh sống mạch nguồnchiếc cùng công dụng là tổng trở ra: Zo = RC (5.31) Hệ số khuếch đại điện áp: Điện áp ra: Vo = − I o RC Suy ra năng lượng điện áp ra Vo: Vo = −h fe I b RC (5.32) Điện áp vào: Vi = I b hie Hệ số khuếch đại điện áp: V h fe I b RC h fe RC Av = o = − =− (5.33) Vi I b hie hie Hệ số khuếch đại dòng: loại điện ngỏ ra được xác định: I Z RB Ai = O = − AV i = h fe (5.34) Ii RC R B + hie Nếu hie Chương 5: Mạch khuếch tán biểu thị nhỏ dại Hình 5-17. Hình ảnh hưởng trọn của năng lượng điện trlàm việc r0 ( giỏi 1/hoe): trường hợp xét thêm điện trở r0 ( ngôi trường vừa lòng trường hợp năng lượng điện trởro ko to hơn điện trngơi nghỉ RC rộng 10 lần) thì trong mạch điện hình 5-16 mạch điện phần ngỏ rabao gồm dạng như hình 5-18. Hình 5-18. khi đó tổng trsinh hoạt ra Zo được xác định: Z O = rO // RC (5.36) Lúc đó thông số khuếch đại năng lượng điện áp: R // r Av = −h fe C o (5.37) hie Hệ số khuếch tán dòng điện: Dòng năng lượng điện ngõ ra: ro I o = h fe I b ro + RC Suy ra thông số khuếch đại: I ro RB Ai = O = h fe (5.38) Ii ro + RC R B + hie Vậy mạch khuếch tán CE gồm độ lợi áp và độ lợi mẫu phệ phải hay được thực hiện đểkhuếch tán bộc lộ, độ lệch sóng giữa biểu đạt vào với ra là 1800. 94Cmùi hương 5: Mạch khuếch đại dấu hiệu nhỏb. Mạch CC Xét mạch khuếch đại mắc CC nlỗi hình 5.đôi mươi. Hình 5.đôi mươi. Sơ vật dụng tương tự biểu hiện bé dại của mạch hình 5.trăng tròn vào hình 5.21. Hình 5.21: Mạch tương tự bộc lộ nhỏ dại. Tổng trsống vào Zi: Tổng trlàm việc vào Zi được khẳng định vì định qui định Ohm tất cả pmùi hương trình: V Z i = i = RB Z b (5.39) Ii Với: Z b = hie + (h fe + 1) RE Tổng trsinh sống ra Zo: Tổng trsinh hoạt ra được xác định tại các đầu ngỏ ra quan sát vào khối hệ thống lúc không tồn tại biểu thị ở ngỏvào. Tổng trlàm việc ra khẳng định theo pmùi hương trình: V Z O = O Vi =0 IO ta có: Vi = I b hie + I e R E xuất xắc Ie Vi = hie + I e RE (5.40) 1 + h fe Từ bí quyết 5.40, ta vẽ lại mạch hình 5.21 như hình 5.22. 95Chương thơm 5: Mạch khuếch tán tín hiệu bé dại Hình 5.22. Vậy VO hie ZO = Vi = 0 = R E // = R E // re (5.41) IO 1 + h fe Nếu RE lớn hơn nhiều lần re thì ZO = re (5.42) Độ lợi năng lượng điện áp: Một trong những công năng quan trọng đặc biệt độc nhất của mạch khuếch tán là độ lợi năng lượng điện áp ac tín hiệunhỏ tuổi được xác minh bởi vì pmùi hương trình: V R E (1 + h fe ) I b (1 + h fe ) R E AV = O = = ≅1 (5.43) Vi hie I b + RE (1 + h fe ) I b hie + (1 + h fe ) R E Vậy mạch CC không khuếch tán điện áp cùng bao gồm độ lệch pha thân biểu hiện vào với ra bởi 0. Độ lợi dòng: RB Ib = Ii RB + Z b I O = I e = (1 + h fe ) I b IO IO Ib RB Ai = = = (1 + h fe ) (5.44) Ii Ib Ii RB + Z b Vậy mạch CC tất cả năng lượng điện áp vào cùng ra thuộc pha, độ lợi áp dao động bởi 1 có nghĩa là mạch CC làmạch lặp (lặp lại tín hiệu) nhưng do nó bao gồm tổng trlàm việc ngỏ vào béo cùng tổng trnghỉ ngơi ngỏ ra bé bỏng yêu cầu đượcthực hiện làm mạch đệm (bí quyết ly ngỏ vào với ra). Hình ảnh hưởng trọn ro: vị thông số kỹ thuật mạch này ro mắc tuy vậy tuy vậy với RE, vị vậy nó đang tác động đốivới đệin trngơi nghỉ ngỏ vào và ra.c. Mạch CB Xét mạch mắc CB nlỗi hình 5.23. Hình 5.23. Ta có sơ thiết bị mạch tương đương nlỗi hình 5.24. 96Chương thơm 5: Mạch khuếch đại bộc lộ nhỏ Hình 5.24 Tổng trngơi nghỉ ngõ vào: V Z i = i = R E // hib = R E // re (5.45) Ii Tổng trsinh sống ngõ ra V Z O = O Vi =0 = RC (5.46) IO Độ lợi điện áp: V − h fb I e RC h fb RC RC AV = O = =− = (5.47) Vi hib I e hib re Độ lợi cái điện: I − h fb I e RE Ai = O = = ≅1 Ii R E + hib R E + re (5.48) Ie RE Vậy mạch CB có Đặc điểm là độ lợi điện áp phệ tuy nhiên độ lợi cái nhỏ xíu, bộc lộ vào cùng rathuộc trộn. Nhưng tổng trlàm việc mạch này hơi bé nhỏ ( bí quyết 5.45) thế nên phải nâng cao tổng trsinh hoạt ngõvào của mạch. Ứng dụng được thực hiện trong các mạch khuếch đại tần số cao.III. Mô hình của FET Cũng tương tự như như BJT, để thực hiện việc đối chiếu ac của mạch cần sử dụng FET, rất cần được xâydựng mô hình tương đương của FET. Có nhiều dạng mắc FET nhằm nó vận động (CS, CD cùng CG)tuy thế gần như rất có thể coi tương đương một mạng nhị cửa ngõ cùng Lúc nó hoạt động cùng với biểu đạt bé dại thìtrọn vẹn toàn tương đương mạng nhị cửa tuyến đường tính. Vì vậy ta có thể áp dụng quy mô tươngđương của mạng nhị cửa tuyến đường tính nhằm mô hình hóa FET. Hình 5.25: Mô hình tương đương của FET.1. JFET Trong đó thông số độ xuyên ổn dẫn gm được định nghĩa ∆I d ∂i V ID gm = = d = g mo (1 − GS ) = g mo (5.59) ∆V gs ∂v gs VP I DSS Với gmo là độ xuyên ổn dẫn của JFET trên VGS=0. 97Chương 5: Mạch khuếch đại bộc lộ nhỏ dại 2 I DSS g mo = (5.60) VPhường Hình 5.26: Xác định gm bên trên quánh tuyến truyền đạt. Và rd năng lượng điện trở máng nguồn ∆Vds ∂v ds 1 rd = VGSQ = = (5.61) ∆I d ∂i d y os yos điện dẫn ngõ ra. Thường rd ở trong tầm 30 ÷ 100 KΩ Hình 5.27: khẳng định rd trên đặc con đường ngõ ra.2. MOSFETa. D_MOSFET Do phương trình truyền đạt của D_MOSFET cũng giống như JFET yêu cầu những thông số kỹ thuật tính toánvào mô hình cũng như nlỗi JFETb. E_MOSFET ∆I d ∂i gm = = d = 2 K (VGS − VT ) (5.62) ∆V gs ∂v gs 98Chương thơm 5: Mạch khuếch đại bộc lộ bé dại Hình 5.28. Xác định gm bên trên đặc tuyến truyền đạt • Các tiêu chuẩn của bộ khuếch tán cần sử dụng FET: Các mạch khuếch đại sử dụng FET chỉ bao gồm 3 thông số: Tổng trlàm việc vào Zi: Tổng trnghỉ ngơi vào Zi được xác minh vị định cơ chế Ohm gồm phương thơm trình: V Zi = i (5.63) Ii Tổng trsinh sống ra Zo: Tổng trnghỉ ngơi ra thường xuyên được xác minh trên các đầu ngỏ ra cơ mà hoàn toàn không giống cùng với tổng trsinh hoạt. Sự khác nhau kia là: tổng trsinh hoạt ra được xác định tại những đầu ngõ ra chú ý vào hệ thống khi khôngbao gồm dấu hiệu ở ngõ vào. Tổng trnghỉ ngơi ra khẳng định theo phương trình: V ZO = O (5.64) IO Độ lợi năng lượng điện áp: giữa những công năng đặc trưng tốt nhất của mạch khuếch tán là độ lợi điện áp, đó là tỷsố điện áp ngõ ra cùng ngõ vào: V AV = O (5.65) VI Đối cùng với hệ thống hình 5-15, độ lợi áp tòan mạch là: V Zi AVs = o = AV (5.66) Vs Z i + Rs Mối quan hệ về pha: Mối quan hệ giới tính với trộn của biểu đạt vào cùng biểu đạt ra dạng sin cực kỳ đặc trưng. Đối cùng với những mạchkhuếch tán transistor ở dãi tần vừa đủ được cho phép làm lơ ảnh hưởng của các bộ phận dungkháng, tín hiệu vào và dấu hiệu ra có thể thuộc pha hoặc ngược trộn nhau 180° phụ thuộc vào sệt tínhcủa mạch.4.Các ví dụa. Mạch CS Xét mạch nhỏng hình 5.29a, cùng sơ đồ vật mạch tương tự của mạch 5.29a trong hình 5.5.29b 99Chương 5: Mạch khuếch tán biểu lộ bé dại Hình 5.29 Độ lợi áp: V g mV gs ( R D rd ) Av = O = − = − g m ( R D rd ) (5.67) Vi V gs Nếu rd lớn hơn không ít RD thì: Av = − g m R D (5.68) Điện trsống ngỏ vào: V Z i = i = RG (5.69) Ii Điện trở ngỏ ra V Z O = O Vi =0 = R D // rd (5.70) IO Vậy mạch CS tất cả thông số giống như mạch mắc CE của BJT: độ lợi áp to, bộc lộ vào vàra lệch pha 1800, tuy vậy mạch dùng FET bao gồm điện trngơi nghỉ ngõ vào lớn hơn nhiều.b. Mạch CD Xét mạch khuếch đại mắc nlỗi hình 5.31, sơ đồ mạch tương tự của mạch hình 5.31trong hình 5.32. 100Chương 5: Mạch khuếch tán dấu hiệu nhỏ dại Hình 5.31 Hình 5.32 Độ lợi áp: V g mV gs ( RS rd ) g m ( RS rd ) Av = O = = ≅1 (5.71) Vi V gs + g mV gs ( RS rd ) 1 + g m ( RS rd ) Nếu rd to hơn rất nhiều RS thì: g m RS Av = ≅1 (5.72) 1 + g m RS Điện trsinh hoạt ngõ vào: V Z i = i = RG (5.73) Ii Điện trsống ngõ ra V 1 Z O = O Vi =0 = RS // rd // (5.74) IO gm Vậy mạch CD có thông số giống như mạch mắc CC của BJT: độ lợi áp bằng 1, biểu thị vàocùng ra thuộc trộn, vận dụng nó là mạch khuếch đại đệm.c. Mạch CG Xét mạch nlỗi hình 5.33a, sơ thứ tương tương của mạch 5.33 vào hình 5.33b. Hình 5.33 Độ lợi áp: V Av = O = g m R D (5.75) Vi Vậy mạch CG có thông số giống hệt như mạch mắc CB của BJT: độ lợi áp lớn, biểu hiện vào vàra cùng pha. 101Chương 5: Mạch khuếch tán biểu lộ nhỏIV. Đáp ứng tần số của mạch khuếch tán. Đáp ứng tần số là đường trình diễn thân thông số khuếch tán cùng tần số của bộc lộ. Hình 5.34: Đáp ứng tần số của mạch khuếch tán. f ∈ < 0, f L > : Vùng tần số thấp của mạch khuếch đại. f ∈ ( f L , f H ) : Vùng tần số mức độ vừa phải của mạch khuếch đại. f ∈ < f H , ∞> : Vùng tần số cao của mạch khuếch tán. Trong đó: fL: tần số cắt dưới của mạch khuếch đại. fH: tần số giảm bên trên của mạch khuếch tán. Tần số giảm bên dưới bị ảnh hưởng vì chưng những tụ liên hệ cùng tụ bypass(CE) và tần số cắt trên bị ảnhtận hưởng do những tụ liên rất trong số sự chuyển tiếp giữa pn của transistor. Thường thỏa mãn nhu cầu tần số của mạch khuếch tán được điều tra khảo sát dưới dạng giản vật Bode hình5.36. Hình 5.35:Giản đổ Bode của thỏa mãn nhu cầu ầtn số của mạch khuếch tán. Xét mạch khuếch tán nlỗi hình 5.36. Hình 5.36.1. Phân tích mạch khuếch tán làm việc tần số tốt 102Cmùi hương 5: Mạch khuếch tán biểu hiện nhỏ dại Xét tác động của các tụ liên lảc C1, C2 và CE, ta bao gồm đáp ứng nhu cầu tần số của mạch trong hình5.37. Hình 5.37: đáp ứng tần số cuaa mạch khuếch tán trong vùng ầtn số rẻ.2. Phân tích mạch khuếch đại trên vùng tần số mức độ vừa phải Tại vùng tần số trung bình là vùng tần số tại kia các tụ liên lạc có giá trị trsinh hoạt chống phải chăng nênxem nhỏng bị nlắp mạch (ko hình ảnh hưởng) cùng các năng lượng điện dung kí sinch có mức giá trị trnghỉ ngơi kháng cao (xemnhư hnghỉ ngơi mạch). Tại vùng tần số này ta sẽ xét đến thông số khuếch đại của mạch ở đoạn II dối vớiBJT với III đối với FET.3. Phân tích mạch khuếch tán trên vùng tần số cao Xét ảnh hưởng của các tụ kí sinch hình 5.38 Hình 5.38: Xét ảnh hưởng của điện dung kí sinc trong transistor. Mô hình tương tự của transistor sinh sống tần số cao vào hình 5.39. 103Chương thơm 5: Mạch khuếch đại bộc lộ bé dại Hình 5.39: Mô hình tương đương của BJT ngơi nghỉ tần số cao. Vậy sơ đồ tương tự của mạch sống tần số cao nhỏng hình 5.40 Hình 5.40: Sơ trang bị mạch tương đương của mạch khuếch tán trên vùng tần số cao Đáp ứng tần số của mạch tong hình 5.41. Hình 5.41: Đáp ứng tần số của mạch khuếch tán.V. Các loại ghxay tầng khuếch đại. Các mạch năng lượng điện tử thường bao hàm nhiều tầng khuếch đại ghép nối liền nhau nhằm nâng hệ số khuếch tán của mạch xuất xắc để phối kết hợp trnghỉ ngơi kháng…từng một tầng khuếch đại hoàn toàn có thể cần sử dụng một xuất xắc các transistor để tiến hành trách nhiệm riêng biệt. Để ghép nối liền những tầng khuếch tán có thể cần sử dụng 1 trong các cha biện pháp ghxay nlỗi sau: - Ghxay bằng tụ liên lạc (ghxay RC) - Ghxay biến hóa áp. - Ghxay thẳng 104